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  • 陶(táo)瓷電容的(de)失效分析(xī)

    陶瓷電容(rong)的應用已(yi)經越來越(yue)廣了,但我(wǒ)們都知道(dao),陶瓷電容(rong)是♊會損壞(huài)的,是會失(shī)效的,導緻(zhi)陶瓷電容(rong)失效的原(yuan)因有很多(duō),這次我們(men)來分下下(xia)陶瓷電容(róng)🌈失效後的(de)情況。通過(guo)掃描電鏡(jìng)發現的🔞陶(tao)瓷電介質(zhì)微觀形貌(mào),可以看到(dao)失效的樣(yang)貌和原樣(yàng)相比不僅(jin)顔色發生(shēng)變化,而且(qie)有裂紋和(hé)不完整的(de)的存在。陶(tao)🙇‍♀️瓷介質中(zhōng)存在一些(xie)大小不等(deng)的微小孔(kǒng)洞,等效于(yú)介質厚度(dù)減小,可能(néng)會降低電(diàn)容器的擊(jī)穿絕緣強(qiang)度。内電極(ji)之間是陶(táo)🌍瓷介質,陶(tao)瓷介質🔴中(zhōng)📱分布着一(yi)-些大小不(bú)等的微小(xiao)孔🐆洞,在高(gāo)溫下電極(ji)非常容易(yi)擴散遷移(yi),擴散到陶(tao)瓷介質中(zhōng),在潮濕和(hé)雜質離子(zi)💜的作用下(xià),這❓些孔洞(dòng)成爲電極(ji)遷

  • 薄膜電(diàn)容的自愈(yu)性與制造(zao)工藝有關(guan)

    我們在制(zhì)造薄膜電(dian)容的過程(cheng)中,影響産(chǎn)品性能的(de)因素很多(duo)☁️,往往在制(zhi)造工藝的(de)控制及工(gong)藝方法的(de)選擇上會(hui)對電容器(qì)的電性能(néng)變化起決(jué)定性的作(zuo)用,因此,設(she)計電容器(qì)時,我們在(zai)正确選取(qǔ)介質場強(qiang),産品内外(wai)部結構,主(zhu)要結構材(cai)料,電容器(qì)發熱等因(yīn)🏒素的同時(shi),還須考慮(lü)制造工藝(yi)的可靠👅性(xing)設計,盡量(liang)減少造成(chéng)大量自愈(yu)點的出現(xian)及大量低(dī)阻短路的(de)發生。因此(cǐ),須注意以(yi)下幾點:1.正(zhèng)确選擇介(jie)質材料及(jí)✌️介質場強(qiáng),對于聚酯(zhǐ)☔膜,般用于(yú)直流電㊙️容(róng)器。對于聚(jù)丙烯膜,一(yi)般用于交(jiao)流及低損(sun)☎️耗的直流(liu)電容器。2.爲(wèi)🈲防止引發(fā)自愈大🐇量(liang)發生的灰(huī)塵、雜質等(děng)的進入,應(ying)嚴格控制(zhì)金屬化膜(mo)的

  • 你不可(ke)錯過的關(guan)于壓敏電(diàn)阻殘壓問(wèn)題

    壓敏電(dian)阻産生的(de)殘壓沒辦(bàn)法去除,因(yīn)爲壓敏電(diàn)阻是一種(zhong)限壓完件(jian),每個型号(hào)的壓敏都(dōu)有不同的(de)殘壓,殘壓(yā)随着流過(guò)壓敏電㊙️阻(zu)的電流越(yuè)大,殘壓越(yue)高🌈,屬于非(fei)線性元件(jian)。在壓敏電(dian)阻中要界(jiè)定标稱電(dian)壓和殘壓(ya)的原因?标(biāo)稱電壓是(shì)其🧑🏾‍🤝‍🧑🏼保護電(diàn)壓🌈,就是說(shuo)超過标稱(cheng)電壓壓敏(mǐn)電阻就會(huì)導通放電(dian)。壓敏電阻(zu)要保護的(de)電壓值是(shì)不超過标(biāo)稱電壓還(hai)是殘壓🤩?殘(cán)壓是說壓(ya)敏導通放(fang)💘電時流過(guò)電流在電(dian)阻上産生(sheng)的電👈壓,也(ye)就是電路(lu)還🤟會殘留(liu)的電壓,如(rú)輸入500V,壓敏(min)标稱300V,壓敏(mǐn)在💋電壓超(chāo)過300V時🌈導通(tōng),流過電流(liu)。5KA時在壓敏(mǐn)兩🔞端産生(sheng)400V電壓,就是(shì)✌️說5KA時殘🔞壓(yā)是400V。看完以(yi)上的内容(róng)大

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